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等離子體表面處理可以分為兩種類型：常壓等離子體和低壓等離子體表面處理。常壓等離子體處理又可以分為電暈等離子體（Corona plasma）處理、介電質(zhì)阻擋放電等離子體（Dielectric Barrier Discharge plasma,DBDplasma）處理和大氣壓等離子體射流（Atmospheric Pressure plasma jet,APPJ）處理。

低壓等離子體處理又被稱為真空等離子體處理。其優(yōu)點在于其易于控制，這種處理方法起初用于微電子工業(yè)中的半導體材料生產(chǎn)過程以及電路板的刻蝕處理，目前，在微電子工業(yè)低壓等離子體技術已經(jīng)發(fā)展成熟。

電暈等離子體

電暈等離子體處理是發(fā)展時間最長、使用最廣泛的一種等離子體處理技術。該技術的優(yōu)點是可以在常壓狀態(tài)下使用，所用的氣體一般為空氣。電暈放電具有功率低，放電范圍小，產(chǎn)生的等離子體規(guī)模較小，放電能量不均勻等特點。該技術一般用在處理材料要求不高的場合，如木材、包裝袋、薄膜、編織物等。

介電質(zhì)阻擋放電等離子體

介電質(zhì)阻擋放電是指在電極板中的一個或一對上用介電質(zhì)（如陶瓷、玻璃等）覆蓋，使得電極板放電受阻，從而使電弧分散于電極區(qū)域。因此，介電質(zhì)阻擋放電等離子體處理技術可以避免處理織物時造成織物穿孔。同時，介電質(zhì)阻擋放電等離子體具有處理面積大、處理一致性強的優(yōu)點。因此，介電質(zhì)阻擋放電等離子體處理比起純粹用電暈等離子體處理是更理想的處理技術。

大氣壓等離子體射流

大氣壓等離子體射流是在電場力作用和氣流作用下將等離子體推出放電電極結構，在電極區(qū)域外的下游開放空間內(nèi)形成放電狀態(tài)的統(tǒng)稱。相較于介質(zhì)阻擋放電的放電區(qū)域只在放電電極內(nèi)部、對于不規(guī)則樣品處理的復雜程度較高，并且只能在高頻交流激勵的條件下，常壓輝光放電等離子體射流具有獨特的優(yōu)勢，通過噴嘴調(diào)整實現(xiàn)對材料內(nèi)部難處理區(qū)域的覆蓋，非常適合處理表面復雜的材料。

低壓等離子體

當氣體在足夠低的壓強下，且有足夠大的電磁場作用于氣體時，氣體可以產(chǎn)生等離子體狀態(tài)。在這種狀態(tài)下，氣體將會被分解為自由基和原子，并部分形成離子。

因為低氣壓下氣體的密度降低，氣體分子之間的距離變大，電子的平均自由程也隨之增大，電子在相同的距離下可以減少碰撞電離的損失，從電場加速中可獲得更高的能量。但由于在低氣壓的條件下，受到眾多因素的影響，例如只能在低壓或者真空倉的狹小工作環(huán)境中，被處理的物體必須能夠承受低氣壓，單次操作中不能手動移動或調(diào)整被處理物，每次操作必須放氣與抽氣等。

等離子體處理就是對被處理物的表面進行刻蝕（即材料的去除）、清理（即雜質(zhì)的去除）、活化（即表面能的提高）和涂覆（功能性薄膜的沉積），從而改變材料的表面性質(zhì)。