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光刻膠包含感光樹脂、增感劑和溶劑三種元素，是一種混合液體，它的內部結構會因光線的照射而發生改變，其主要作用是把掩模板上的圖案復刻至元器件上。光刻膠按顯影的不同可以分為正性膠和負性膠，前者是被光照射的部分會被溶解，而后者則是沒有被光照射的部分會被溶解。

去除光刻膠常用干法刻蝕和濕法腐蝕兩種方法。干法等離子清洗原理是由于光刻膠的主要成分是樹脂、感光材料和有機溶劑，它們的分子結構都是由長鏈的碳、氫、氧組成，利用等離子體（氟、氧)中的高反應活性原子與光刻膠中的碳氫高分子化合物發生聚合物反應，從而生成易揮發性的反應物，最終達到去除光刻膠層的目的。

等離子體（Plasma）是正離子和電子的密度大致相等的電離氣體，由離子、電子、自由激進分子、光子以及中性粒子組成；是由部分被電離后產生的正負離子組成的離子化氣體狀物質，尺寸大于德拜長度且宏觀呈電中性，其運動主要受電磁力支配，并表現出顯著的集體行為；是宇宙中物質的主流存在形態，閃電、星云等均是自然界中典型的等離子態；是固、液、氣三態之外物質存在的第四態。

人工生成等離子體的方法有加熱或氣體放電，氣體放電更容易實現和實施精確控制。因此工程應用中，等離子體激勵方式大多采用氣體放電模式。

等離子體大致可分為2類。第一類是由高溫使分子和原子的動能增高，由分子、原子相互碰撞而引起電離。此時整個體系的溫度可達數千至數萬攝氏度，稱為高溫等離子體；第二類是在低氣壓中，給氣體施加電場激勵時生成，壓力在數百帕以下的低壓等離子體常處于非熱平衡狀態，這種狀態下電子的能量在與離子和中性粒子的碰撞中幾乎是不損失的，宏觀溫度處于常溫狀態，稱為低溫等離子體。

在集成電路生產工藝中約有三分之一的制造過程都要包含光刻膠去除工序———即芯片制造中作為保護層的光刻膠經過刻蝕或者離子注入后不再需要，因此要將其從硅片表面去除，同時不能損傷和污染光刻膠下面的物質。如果這個過程不能被很好地控制或者產生損傷，會直接影響產品的成品率以及器件和電路最終的制造成本。

早期主要采用濕法去膠工藝——即有機或無機溶液通過浸泡的方式去除光刻膠。濕法去除光刻膠存在速率難以控制、去除不徹底、留有殘膠、需要反復去除等缺點，尤其是濕法去除所帶來的廢酸處理和大量地使用去離子水，給環境保護和節約能源造成了極大的困難。干法工藝利用光刻膠本身是有機化合物的特點———主要由碳、氫和氧等元素構成，結合低溫等離子清洗技術，形成干法等離子光刻膠灰化工藝。

plasma等離子清洗光刻膠原理

等離子體清洗主要針對光刻膠等有機物,清洗機理為光刻膠中的主要成份C、H會與氧等離子體產生的O自由基結合生成氣體被抽走,此過程可以表示如下：

CxHy+nO*→CO↑+CO2↑+H2O↑+...

等離子清洗光刻膠操作方便、去膠效率高、表面干凈、無劃傷、硅片溫度低等優點,有利于確保產品的質量。它不用酸、堿及有機溶劑等,成本低,又不會造成公害等,因此受到人們重視,在生產中已逐步采用。