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儲(chǔ)存環(huán)境對(duì)等離子體處理時(shí)效性的影響 不同的儲(chǔ)存環(huán)境對(duì)等離子體處理后PEEK的親水時(shí)效性保持效果不同:儲(chǔ)存在水和真空環(huán)境中有利于PEEK親水時(shí)效性的保持;溫度較低的環(huán)境比溫度較高的環(huán)境更有利于PEEK親水時(shí)效性的保持。且通過多種條件的結(jié)合可以得到:低溫真空環(huán)境更有利于PEEK親水時(shí)效性的保持。

Jan. 09, 2026

PEEK等離子清洗機(jī)改性處理提高親水粘接性 通過對(duì)比等離子清洗機(jī)改性處理前后PEEK表面C、O元素的含量變化,結(jié)合上文中對(duì)PEEK表面接觸角地測量結(jié)果可以得出:等離子體清洗機(jī)對(duì)PEEK表面的改性的原理主要是在其表面引入了含氧元素的活性粒子,由于含氧元素活性粒子呈親水性,使PEEK表面也呈現(xiàn)親水性。

Jan. 09, 2026

反應(yīng)離子刻蝕機(jī)的主要調(diào)節(jié)參數(shù) 反應(yīng)離子刻蝕是一種結(jié)合了等離子體化學(xué)反應(yīng)(化學(xué)刻蝕)和高能離子轟擊(物理刻蝕)的刻蝕工藝，反應(yīng)離子刻蝕機(jī)的調(diào)節(jié)參數(shù)主要包括放電功率、反應(yīng)室壓強(qiáng)、刻蝕氣體流速等。

Jan. 07, 2026

PI聚酰亞胺薄膜等離子體刻蝕原理 PI作為一種聚合物,主要由碳?xì)浣M成。采用不同的氣體的等離子體處理PI就會(huì)有不同的處理效果。Ar、N2等離子體主要通過物理轟擊對(duì)PI層進(jìn)行處理,而O2、CF4等離子體主要通過化學(xué)反應(yīng)對(duì)PI層進(jìn)行處理和去除。

Dec. 27, 2025

等離子清洗在倒裝芯片封裝底部填充工藝中的應(yīng)用 倒裝芯片封裝過程中,底部填充膠的流動(dòng)性決定了填充效率,進(jìn)而影響生產(chǎn)效率及成本。通過等離子清洗后,水及底部填充膠在陶瓷基板表面的浸潤性均有所提高;等離子清洗還能促進(jìn)底部填充膠在芯片和陶瓷基板之間的流動(dòng)。

Dec. 27, 2025

ePTFE膜等離子體處理提高粘接性 PTFE具有低的表面能,很難將ePTFE膜與其他材料粘接在一起,所以需要對(duì)ePTFE膜表面進(jìn)行改性。經(jīng)過等離子體對(duì)ePTFE膜表面進(jìn)行處理后,膜表面的含氧基團(tuán)增加,材料的極性增加,使其接觸角明顯減小,表面能增加，從而提高粘接性。

Dec. 20, 2025