氫氣由于自身特殊的還原性能其等離子體也具有一定的特殊性。H2是雙原子分子,高頻放電形成氫等離子體的反應不像典型的Ar放電那樣簡單,涉及到的粒子種類較多,氫等離子體中除包含電子（e）外?還包含有各種氫離子（H^＋、?H^＋2、?H^＋3、H^－）、基態和電子激發態的氫原子及氫分子，可以對材料表面產生刻蝕和還原的作用，易于與物體表面分子反應形成新的物質如水、碳氫化合物等。

氫氣等離子體的還原作用

氫氣是一種還原性氣體,可以在一定溫度下將金屬氧化物或金屬鹽類還原成金屬單質,而在氫等離子環境下,可以在低溫下實現需要高溫加熱才能發生的一些還原反應。

氫等離子體還原金屬氧化物

氬氫等離子體清洗銅引線框架

引線框架封裝仍是目前封裝的主流?銅合金由于具有良好的導熱性能、電性能、加工性能以及較低的價格被用作主要的引線框架材料。但是銅的氧化物和其它一些污染物會造成模塑料與銅引線分層降低器件的可靠性進而影響到芯片粘接和引線鍵合的質量。

采用氫氬混合氣體能夠有效地去除引線框架金屬層上的污染物。在清洗過程中氫等離子體能夠去除氧化物而氬通過離子化能夠促進氫等離子體數量的增加。

氫氣等離子體鈍化

多晶硅薄膜在大面積微電子學及液晶顯示等領域有著廣闊的應用，但多晶硅薄膜中含有大量的晶界，晶界缺陷態將產生一定的晶界勢壘嚴重影響其電學性能。氫會飽和半導體材料硅的懸掛鍵，應用氫氣等離子體能有效鈍化這些缺陷態。此外它能中和電學上激活的淺雜質或深雜質，如空位-雜質絡合物，或替位式的貴金屬、過渡雜質等。氫的引入對發光器件、功率器件等是十分有利的。

在氫氣等離子體狀態下，氫向樣品內部擴散并與其中的缺陷態結合形成飽和鍵，從而達到鈍化材料內部缺陷態的目的。

在有帶電離子存在的條件下，適當的高頻電磁場能使低壓氫氣電離產生氫離子、活化的氫原子、氫分子和電子等混合的等離子體。在輝光放電過程中，電子溫度高達10⁴～10⁵K，能量約16×10^－19J。這些電子通過非彈性碰撞幾乎把全部能量耦合給氫氣。因此H和H^＋具有遠遠高于氫分子熱運動平均動能（～0．064×10^－19J）的能量。另一方面H是體積最小、重量最輕的原子所以室溫下就能擠進硅表面而與缺陷作用。硅中H是間隙式雜質也是擴散最快的雜質進入樣品的H或H^＋能迅速擴散填補各類型的空位缺陷。

利用氫等離子體鈍化半導體材料中各種缺陷的研究已有許多。H或H^＋不但容易與懸掛鍵（空位等）結合，而且能夠鈍化硅中許多深雜質和熱缺陷。